泰科天润半导体科技（北京）有限公司近日公布一项新型高可靠平面栅碳化硅vdmos及其制备方法专利（申请公布号：cn119421473a，申请公布日：2025年2月14日）。

该专利技术通过在碳化硅衬底上进行一系列淀积、外延生长和刻蚀等工艺，最终形成高可靠平面栅碳化硅VDMOS器件。具体步骤包括：在衬底下侧面淀积金属形成漏极；外延生长漂移层；形成并刻蚀阻挡层，随后进行离子注入，形成均流层、体区、P型阱区和N型源区；再次形成并刻蚀阻挡层，淀积绝缘介质层；再次形成并刻蚀阻挡层，淀积栅介质层；最后形成栅极和源极金属层，并去除阻挡层，完成器件制备。此方法显著提升了器件的栅极可靠性，并降低了体二极管续流损耗和反向恢复时间。

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