英诺赛科与意法半导体达成联合开发协议,将共享氮化镓制造产能
时间:2025-04-02 | 作者: | 阅读:0英诺赛科与意法半导体携手推动氮化镓技术应用
近日,英诺赛科发布公告宣布与意法半导体达成一项联合开发协议,双方将共同开发和生产氮化镓(GaN)功率技术,并将其应用于消费电子、数据中心、汽车和工业电源系统等领域。
根据协议,英诺赛科可利用意法半导体在全球范围内的产能生产GaN晶圆,意法半导体也可使用英诺赛科的中国产能。此举旨在提升双方GaN产品线,增强供应链灵活性,满足市场对多元化应用日益增长的需求。 双方还将共同研发下一代GaN技术,加速GaN技术的普及和应用。
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