华进半导体 “一种重布线结构的制备方法及重布线结构”专利公布
时间:2025-04-24 | 作者: | 阅读:0天眼查数据显示,华进半导体封装先导技术研发中心有限公司的一项专利“一种重布线结构的制备方法及重布线结构”已公布,公布日期为2025年3月7日,公布号为cn119581343a。
该发明涉及重布线结构技术领域,介绍了一种制备重布线结构的方法及结构。具体方法包括:首先提供半导体衬底;然后在半导体衬底的一侧表面上形成阻挡层、种子层和光刻胶层;接着对光刻胶层进行曝光和显影处理,以在光刻胶层上形成过孔窗口和布线窗口,过孔窗口暴露种子层;随后在过孔窗口暴露的种子层上形成第一金属层;去除布线窗口保留的部分光刻胶;在第一金属层和布线窗口暴露的种子层上形成第二金属层;最后去除光刻胶层、未被第一金属层覆盖的种子层和阻挡层以及未被第二金属层覆盖的种子层和阻挡层,形成过孔和布线层;在半导体衬底的一侧表面上形成塑封层,以完成重布线结构的制备。本发明通过这种方法,可以消除布线层和过孔的对位偏差,从而提升I/O密度。
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