近期，中微公司回应了机构投资者的调研提问，指出其等离子体刻蚀、薄膜以及EPI等新型设备已在客户的尖端逻辑芯片生产线上完成了全面测试，其中多款设备已经成功通过认证。当前，公司产品在国内先进逻辑芯片生产线的刻蚀工艺环节已占据一定的市场份额。展望未来，随着更多新产品的陆续推出，公司在这一领域的市场份额预计将进一步扩大，也将更好地把握国内先进逻辑芯片生产线扩展带来的机遇。

数据显示，中微公司2024年的研发投入达到了24.52亿元，同比增幅高达94.31%，占营业收入的比例超过了27%。公司正在推进六大类超过20种新设备的研发工作，研发效率显著提升，新产品从概念到投产的时间被压缩到了两年甚至更短。借助模块化设计与人工智能技术的应用，公司大幅减少了研发周期，大约60%-70%的关键组件能够实现重复利用。另外，公司通过专注于产品创新与差异化策略来应对市场竞争，计划通过外部并购和内部研发相结合的方式覆盖半导体前道设备市场的六成份额。

在人力资源方面，公司员工队伍稳步扩充，研发人员占比约为48%，专业团队建设不断完善。针对存储器客户的需求，高深宽比设备已实现大批量供货，下一代产品有望在市场份额上占据领先地位。公司在量检测领域全面部署光学和电子束检测设备，国内高端市场前景十分广阔。公司供应链管理稳健可靠，核心零部件国产化进程顺利推进，已与全球880家供应商建立了合作关系。

在业务发展方面，公司的高深宽比设备，包括等离子体刻蚀和金属薄膜沉积设备，目前已广泛应用于国内顶尖存储器客户生产线，并且设备性能不断优化升级。下一代超高深宽比设备也有望在市场上占据主导地位。公司金属钨系列薄膜产品已经在客户端获得批量订单，并随着客户产能扩张而逐步释放潜力，同时其他多项新品的验证工作也在按计划顺利推进。公司始终与客户保持密切联系，在技术研发路线的选择、产品开发以及验证流程等方面紧密协作，这不仅加速了设备的导入与认证过程，也使公司能更好地分享客户产能扩张带来的红利。

中微公司在先进封装领域积极拓展，涉及刻蚀、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)以及晶圆量检测设备等多个方向，并已推出相应的新品。尽管分子束外延(MOCVD)业务所占比例已降至个位数以下，但公司新开发的设备涵盖了Micro-LED等新兴应用场景，部分产品有望在今年带来新的订单，从而推动该业务板块重回增长轨道。

（校对/黄仁贵）