11 月 27 日消息，三星宣布其研究团队在存储技术领域取得重大突破，成功开发出一种新型 NAND 闪存结构，可将功耗降低逾 90%。该成果有望重塑人工智能数据中心、移动设备及其他依赖存储芯片的终端产品的未来。

据 ETNews 报道，三星先进技术研究院（SAIT）主导研发了这一超低功耗 NAND 闪存技术。该新型结构创新性地融合了铁电材料与氧化物半导体，相关研究成果已发表于全球顶尖的多学科科学期刊《自然》（Nature）。

据了解，NAND 闪存是一种非易失性存储介质，即使断电亦可长期保存大量数据，其工作原理是通过向存储单元注入电子实现数据写入。为提升存储密度，业界普遍采用堆叠更多存储层的方式构建芯片，但这同时也显著增加了数据读写过程中的能耗，尤其在大规模数据中心场景中，功耗问题已成为亟待解决的关键瓶颈。

而三星研究团队成功攻克了这一难题。氧化物半导体因阈值电压不稳定而难以控制，过往被视为技术障碍；然而，研究团队另辟蹊径，将其与铁电结构协同设计，变“劣势”为优势：铁电材料具备自维持电极化特性，无需持续供电即可保持状态。

得益于此项创新设计，新架构实现了高达 96% 的功耗降幅。三星表示，该突破完全依托其内部自主研发，由三星电子 SAIT 与半导体研究所共计 34 名研究人员共同完成。

“我们已验证了实现超低功耗 NAND 闪存的可行性。”三星电子 SAIT 研究员、本研究第一作者 Yoo Si-jeong 表示，“在 AI 生态系统中，存储器的角色日益关键。未来我们将持续推进后续研究，目标是实现该技术的商业化落地。”

与此同时，三星正着力提升其存储业务盈利能力。面对 DDR5、LPDDR5X 及 GDDR7 等 DRAM 产品需求持续攀升及价格上涨的市场环境，公司将重点优化高附加值产品的供应策略，以强化盈利结构。

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