12月17日消息，据The Elec报道，三星宣布与三星先进技术研究所已成功开发出一种新型晶体管，能够实现在10纳米以下制程节点生产DRAM。

这一突破有望解决移动内存进一步微缩所面临的关键物理挑战，为未来设备带来更高的容量与性能表现。

传统DRAM制程的微缩在进入10纳米以下节点后，因物理极限而面临严峻挑战。

三星此次推出的“高耐热非晶氧化物半导体晶体管”具备极佳的高温稳定性，可在高达摄氏550度的条件下保持性能不衰退，从而适应先进制造工艺的要求。

该晶体管采用垂直沟道设计，沟道长度仅为100纳米，且可与单片CoP DRAM架构集成。测试结果显示，其漏极电流表现稳定，在长期老化测试中也保持了良好的可靠性。

三星表示，该技术计划应用于未来的0a与0b级别DRAM产品中，目前仍处于研究阶段。

预计搭载该技术的存储芯片将有助于三星在高密度内存市场保持竞争力，并有望于2026年起陆续应用于终端设备中。

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