据悉，在Intel Connection Japan 2026活动中，英特尔首次公开了名为“Z-Angle Memory”（ZAM）的内存原型。该项目由英特尔与合作伙伴共同推进，专注于存储器及相关产品的研发、制造和销售。

ZAM技术的核心在于其独特的“Z-Angle”架构，采用错位互连拓扑结构，在芯片堆叠内部实现对角线走线。这种设计能有效解决现有内存解决方案的散热瓶颈，并大幅优化计算性能。

根据现场公布的资料，ZAM内存的功耗相比现有方案降低了40%至50%。其单芯片存储容量最高可达512GB，远超当前主流内存产品的规格。

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