2月13日消息，据wccftech报道，Rapidus正加速推进2nm制程量产计划，目标2028年实现全面量产。

Rapidus于2025年4月启动试产线，同年8月完成2nm GAA测试芯片流片，并计划在2026年第一季度向客户交付2nm PDK。

产能方面，Rapidus预计2027年初期月产能为6000片晶圆，仅一年后便计划提升至约2.5万片，增幅超过四倍。

在工艺性能上，Rapidus推出名为“2HP”的尖端2nm工艺，逻辑密度达237.31 MTr/mm2，与台积电N2工艺的236.17 MTr/mm2基本持平，均属高密度单元库范畴，相较英特尔Intel 18A的184.21 MTr/mm2优势明显。

与此同时，Rapidus已着手规划更先进的1.4nm制程，目标2029年实现量产。

Rapidus由索尼、丰田、NTT、三菱、NEC、铠侠、软银等八家日本企业于2022年共同成立，致力于先进半导体工艺的本土化设计与制造。目前Rapidus正在北海道千岁市建设创新集成制造工厂，作为2nm芯片的生产基地。

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