内存硬盘继续全线大涨!二季度DRAM暴涨超60%:NAND飙升75%
时间:2026-04-02 | 作者: | 阅读:0快科技4月2日消息,据TrendForce最新报告,2026年第二季度存储市场将继续面临全面涨价。
DRAM方面,原厂积极将产能转向HBM和Server应用,并采用补涨策略拉近各类产品价差,预估整体一般型DRAM合约价格将季增58-63%。
NAND Flash市场则持续由AI和数据中心需求主导,全产品线连锁涨价效应不减,预计第二季整体合约价格将季增70-75%。
其中PC DRAM虽面临整机需求下修,但原厂同步缩减供货量,满足率较低的PC OEM不得不加价采购。
Server DRAM成为原厂获利最高的品类,获得优先产能分配,北美CSP对AI推理需求明确,大容量RDIMM采购强劲,短期内供给维持紧缩。
智能手机品牌因成本压力累积不排除调整生产计划,但Mobile DRAM拉货力道暂不致大幅收缩,合约价持续走升。
Graphics DRAM和Consumer DRAM同样受产能不足影响,部分消费级产品的存储器成本已高于售价,但大厂退出供给导致供不应求局面未见缓解。
NAND Flash方面,原厂通过制程升级和调升QLC比例提高产出的增幅有限,AI Server需求强劲,PC和手机厂商被迫缩减产品容量以抑制需求量。
Enterprise SSD订单增长未见放缓,2026年将明显缺货,新产能预计要到2027年底或2028年才能大规模开出。
eMMC/UFS因与Enterprise SSD制程重叠但利润远低于后者,供给缺口居全产品线之冠。
整体来看,AI算力军备竞赛白热化带来的产能排挤效应,正在从高端HBM向全存储产品线传导,存储价格全面上涨的趋势在2026年内预计难以逆转。
来源:https://news.pconline.com.cn/2124/21248192.html
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