快科技4月30日消息，英特尔在夏威夷檀香山举办的VLSI 2026研讨会上，通过论文T1.2正式公布Intel 18A-P制程节点的关键技术数据。相比标准Intel 18A节点，18A-P在相同功耗下实现超过9%的性能增益，在相同性能下功耗降低超过18%。

这类性能与功耗改进通常只在跨代节点过渡时才能见到，而现在18A-P在相同密度下即可实现。

英特尔论文原文列出了四项具体改进：额外的逻辑VT对、更严格的时钟偏移角控制、高密度（HD）和高性能（HP）库中新增的低功耗器件，以及两类库中性能提升版HP器件。

英特尔将18A-P的偏移角（skew corners）较标准18A收窄约30%，同一晶圆上晶体管之间的性能差异显著缩小，功耗和性能特性更加可预测，参数良率与芯片一致性同步提高。

散热层面，18A-P的热阻较18A降低约50%，导热效率大幅提升。这对于高性能计算场景中的持续高频运行尤为关键，也直接响应了背面供电技术（PowerVia）带来的散热挑战。

英特尔已向潜在客户交付18A-P的1.0版PDK工艺设计套件，以支持其开始测试芯片验证。该工艺仍基于RibbonFET全环绕栅极晶体管架构与PowerVia背面供电技术打造，属于18A平台的性能增强版本。

据TrendForce消息，苹果正在评估采用18A-P制程生产M系列芯片，谷歌则在考量借助英特尔EMIB先进封装技术推进TPU v8e项目，相关产品最早或于2027年落地。

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