据悉，为突破10nm以下制程微缩瓶颈，DRAM行业正转向3D DRAM技术。该技术将传统2D平面排列的DRAM单元改为垂直或立体堆叠架构，原理类似3D NAND闪存。通过改变晶体管排列方向或垂直堆叠，可在缩小制程时保持电容器容量。

三星和SK海力士已分化出不同技术路线。三星考虑借鉴NAND闪存设计，将控制电路置于存储阵列下方，垂直堆叠晶体管并用栅极材料包裹。这种结构与GAAFET有相似之处，但空间布局逻辑不同。

两大巨头的核心目标都是率先实现技术量产，推动自家方案成为下一代DRAM行业标准。谁能率先跑通工艺并提升良率，谁就能在AI时代的内存市场占据主导地位。

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