韩国海关数据揭示存储市场涨价潮

韩国海关最新发布的进出口数据，为全球存储市场的疯狂涨价潮提供了官方注脚。

DRAM和NAND闪存价格全线飙升。这轮冲击波正全面波及全球内存和固态硬盘市场。

一个基本判断是，这种供需失衡的紧张局面，恐怕还要持续至少两到三年。

在AI超级周期的强劲拉动下，全球存储需求已然创下历史新高。

作为半导体产业重镇，韩国厂商无疑是这轮行情中的最大受益者，营收与利润正同步经历暴涨。

存储价格涨幅惊人

具体来看数据，截至2026年5月10日的一个月内，市场呈现出令人咋舌的涨幅：

• NAND闪存：单月环比大涨63.1%，同比涨幅高达351.6%。
• DRAM裸芯片：环比上涨20.9%，同比涨幅逼近500%。
• HBM高带宽内存：环比涨价18.7%，同比上涨165.5%。
• 整体内存品类：同比涨幅达326.3%，环比上涨28.8%。

市场呈现“冰火两重天”

然而，市场内部却是冰火两重天。

根据集邦咨询的数据，消费级TLC SSD的现货价格不涨反跌，跌幅达30%至40%。

这背后的原因在于PC市场需求持续疲软，导致普通消费级存储产品库存严重积压。

与之形成鲜明对比的，是企业级合约市场。

• MLC架构的SSD合约价上涨了50%。
• SLC架构的SSD合约价上涨了20%。

三星、SK海力士、美光、铠侠等国际大厂，已经将超过80%的先进产能转向了AI专用存储产品。

行业机构预判，本季度NAND合约价格还将继续攀升，预计涨幅在70%至75%之间。

供需矛盾短期难解

问题的核心在于，供给端的速度完全跟不上需求的爆发。

但晶圆厂的建设和产能爬坡绝非一朝一夕之功。从动工到稳定量产，至少需要2-3年的时间周期。

三星近期已明确表态，2027年的存储供需矛盾，可能会比2026年更加尖锐。

国产存储加速突围

与此同时，一个重要的变量正在显现——国产存储厂商正在加速突围。

国内DRAM企业持续扩大产能，依托本土AI市场旺盛的需求，快速提升自研自产能力。

这股力量的崛起，将有效对冲海外供给紧张和价格暴涨带来的冲击，逐步降低对国际巨头的依赖。

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