据悉，三星电子已开始向全球主要客户交付首批12层HBM4E内存样品。

该HBM4E内存带宽可达3.6TB/s，相较HBM4提升20%，有助于提升大语言模型和下一代AI系统的计算性能。其结合了1c纳米DRAM与4纳米逻辑芯片，并采用了先进的低功耗设计技术和优化的封装结构。

三星12层HBM4E单堆栈容量为48GB，并计划后续提供8层32GB和16层64GB配置。在完成样品交付和优化后，将根据客户进度安排开始批量生产。

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