据悉，三星电子在2026年台北国际电脑展期间，展示了全球首款HBM5内存原型。HBM5是面向未来高性能计算和人工智能训练需求的第八代存储技术。

该技术预计在2029年至2031年间推出市场，将采用更先进的2nm基础裸片搭配1c nm DRAM制造工艺。为了应对超高功耗，HBM5将采用浸没式冷却技术。

在性能方面，行业预测HBM5将I/O通道提升至4096-bit，以16层堆叠为标准，预期每个堆叠的带宽将提升至4TB/s。

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