铠侠计划于2026年夏天出样下一代BiCS10 1Tb TLC NAND闪存。据悉，该闪存将用于支持PCIe Gen6的下一代企业级固态硬盘中。

BiCS10采用332层设计，堆叠层数低于部分竞争对手。铠侠解释称，更高堆叠会增加工艺复杂性及成本，且不利于能效和可靠性。其表示，332层设计相比推测的400层产品，可降低成本10%、提升能效10%、并带来35%的可靠性优势。

在企业战略层面，铠侠预测NAND市场整体出货容量在2026至2028年间将实现22%的复合年增长率。其中，数据中心领域增速预计为46%，而AI推理细分领域增速预计高达86%。铠侠认为当前是NAND市场供需失衡最严重的时刻，未来将逐步改善。

在此背景下，铠侠将重点发展数据中心和企业级SSD等高附加值产品，目标将该领域对整体营收的贡献提升至60%以上，以推动盈利能力提升。同时，PC和智能手机端的收入规模预计将保持稳定。铠侠计划在2026至2028财年快速推进制程升级，目标实现每年约10%的前端单位容量成本降低，并计划在2029财年后投产更先进技术。

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