6月23日，三星电子正式推出了新一代通用闪存存储产品——UFS 5.0。

核心参数大幅提升

这次升级基于第九代V-NAND（V9）闪存技术打造。它明确针对端侧AI场景做了深度优化。

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数据带宽直接拉到了10.8 GB/s。顺序读取速度也是10.8 GB/s。顺序写入则达到9.5 GB/s。

对比上一代UFS 4.1，传输带宽整整翻了一倍。换句话说，处理海量数据时，瓶颈被大幅压缩。

为什么带宽翻倍值得关注？

端侧AI模型在手机、平板、边缘设备上运行，对存储带宽的要求远高于传统应用。模型加载和推理时的中间数据吞吐，一旦存储跟不上，再强的NPU也得干等。

UFS 5.0的带宽翻倍，意味着AI应用启动更快。多任务并发更顺畅。更复杂的本地模型也有了落地的硬件基础。

技术信号：存储不再是“仓库”

从技术演进路径来看，UFS 5.0的发布释放了一个明确信号：存储不再是单纯的“仓库”，而是端侧性能的关键环节。

当设备厂商都在卷AI算力时，三星用V9 NAND进一步拉高了存储天花板。值得注意的是，这次三星跳过了UFS 4.2之类的中间版本，直接跳到5.0。这也侧面说明行业对高带宽存储的紧迫需求。

产品落地时间表

当然，产品落地还需要时间。按照以往节奏，从NAND闪存量产到UFS控制芯片整合、再到终端设备搭载，通常需要几个季度。

但可以确定的是，2025年下半年到2026年，下一代旗舰手机将会陆续搭载UFS 5.0。届时，端侧AI的体验将迎来一次实质性的跃升。