近日，SemiAnalysis发布了对麒麟9030的深度拆解报告。

报告揭示了中芯国际第三代7nm级工艺N+3的关键技术指标。分析结果主要看点如下。

一、关键参数对比：N+3的金属间距超越Intel 18A？

数据显示，N+3的最小金属间距做到了32.5nm。

这个数字比Intel 18A工艺在Panther Lake高性能单元上使用的约36nm间距更为紧凑。

二、对比需谨慎：数据不完整，结论为时过早

不过，目前下结论还为时过早。原因如下：

• Intel 18A工艺本身支持约32nm的金属间距。
• SemiAnalysis并未公布N+3的其他关键参数，如接触栅间距、标准单元高度或鳍间距。

因此，现在就判定谁强谁弱，证据尚不充分。

三、技术路径分析：DUV多重曝光的极限挑战

目前能确认的是，N+3的晶体管密度约为113.4 Mtr/mm。

这一数据高于台积电N6的107.7 Mtr/mm，确实是一个亮点。

台积电N6采用了多层EUV光刻。而中芯国际在不使用EUV光刻机的情况下，通过DUV多重曝光实现了更高密度。

在最精细层上，它使用了自对准四重曝光。再配合大量设计-技术协同优化，最终实现了这一技术成就。

提升密度的代价

SemiAnalysis指出，中芯国际通过以下手段提升密度：

• 减少鳍数量
• 将接触孔直接置于有源栅上方
• 收紧单元间距

这些方法确实增加了晶体管密度，但代价不小。

代价包括：工艺复杂度上升、成本增加、良率风险加剧，以及设计约束增多。

四、综合评估：密度优势不等于性能优势

晶体管密度并不等于整体工艺竞争力。

虽然麒麟9030布局更紧凑，但其性能只与大约三年前的旗舰处理器相当。

在能效方面，它与苹果、高通、联发科和三星的旗舰产品相比，差距依然明显。

因此，将N+3与Intel 18A直接对标并不完全合理。

尽管N+3的32.5nm最小金属间距在名义上更紧，但18A在晶体管密度和性能能效两方面都更胜一筹。

五、架构差距：18A具备GAA与背面供电技术

更重要的是，18A采用了GAA晶体管和背面供电技术。

这些技术使其在移动SoC和数据中心应用中具备更强的适用性。

这些架构上的优势，是N+3目前所不具备的。

六、未来展望：N+4与N+5的追赶路径

SemiAnalysis总结认为，出口管制确实减缓了国内技术进步的步伐，但进步仍在发生。

如果中芯国际继续沿着当前路径走：

• N+4有望接近台积电N5级别的密度。
• 引入背面供电的N+5则可能达到Intel 18A级别的密度。

但正如前文所说，晶体管密度本身并不必然带来性能或能效的实质性提升。

中芯国际在架构创新和器件层面的追赶，仍然有一段长路要走。

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