三星HBM5散热技术路线曝光：自研2nm工艺搭配HPB，预计2028年量产

三星HBM5技术路线：2nm工艺 + HPB散热

最新消息显示，三星电子正式对外披露，他们计划用自研的2nm工艺来制造HBM5内存。这个时间点定在了2028年左右——没错，就是量产阶段。

HPB技术：散热性能提升500-1000倍

这次的重点，其实是散热。在HBM5的散热方案中，一个叫HPB（Heat Path Block）的技术将成为核心。

HPB究竟是什么？简单说，它是一种集成在芯片封装内部的金属导热结构，通常用铜基材料制成。

关键数据来了：它的导热性能比基板、DAF或EMC这类聚合物基材料高出大约500到1000倍。这不是简单的改良，而是质变级别的提升。

已在实际芯片中验证

有意思的是，三星并非从零开始验证这项技术。早在Exynos 2600芯片中，HPB就已经被引入作为技术预演。

结果如何？该处理器的散热性能比上代提升了30%。这至少说明一点：HPB技术完全有潜力进入移动处理器市场，而不仅仅是停留在存储领域。

行业竞争：SK海力士推出iHBM方案

当然，散热技术这块并不是三星一家在发力。整个AI基础设施对散热的需求正在水涨船高，多种热管理方案在存储领域竞相涌现。

就在今年5月26日，SK海力士端出了一个叫iHBM的解决方案。他们的思路是：在HBM封装内部集成一个名为“ICE”的一体化冷却元件，用来直接降低运行时的发热量。

据悉，这项技术同样会应用到HBM5等下一代产品上。SK海力士方面强调，这个方案与客户现有的SiP系统级封装环境具有很高的设计兼容性——换句话说，客户不需要大改现有设计就能直接部署。

为什么散热成为焦点？HBM5内部热量激增

那么问题来了，为什么这些厂商突然集体在散热技术上较劲？行业分析指出，HBM5架构虽然能处理更大的数据量、速度也更快，但随之而来的是内部发热量急剧增加。

尤其值得关注的是D2D PHY（芯片间物理层），这个负责HBM与外部GPU之间超高速数据传输的区域，被认为是芯片内部的主要热源之一。

共同策略：独立散热路径降低热阻

这里有一个共同的逻辑：无论是三星的HPB还是SK海力士的iHBM，它们都在D2D PHY区域内部署了独立的散热路径。

这样一来，热传导与散热效率得到改善，热阻降低，系统稳定性自然就上去了。

市场影响：HBM4谈判展开，2027年或将涨价

在散热技术集体升级的预期下，HBM市场的供需格局也在发生变化。

TrendForce集邦咨询的最新研究显示，由于三大原厂采用年度议价机制，HBM的合约价无法及时反映市场季度涨价的趋势。

而眼下，随着2026年第二季度临近，买卖双方已经就2027年的主流产品HBM4供应展开了谈判。

这家分析机构认为，考虑到DRAM整体供不应求的市况，加上新旧世代HBM的高制造难度与高成本，三大原厂很可能会在2027年大幅上调HBM报价。

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