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  NAND闪存竞赛：铠侠不走“层数游戏”路线

  6月2日消息，NAND闪存这几年在堆栈层数上的竞赛愈演愈烈——三星、SK海力士已经冲上400层以上，仿佛层数就是一切。但有意思的是，闪存技术的发明者铠侠这次却选择了一条截然不同的路：不玩数字游戏。

  第十代BiCS闪存：性能参数全面提升

  就在前几天，铠侠正式发布了第十代BiCS闪存，官方命名为Gen10。

  与上一代Gen8相比，存储密度提升了59%，读取速度提升15%，写入速度提升25%。读取功耗降低40%，写入功耗也降了30%。这些数据看上去相当漂亮。

  层数方面，Gen10从上一代的218层增加到332层，进步确实不小。但如果只看层数，跟三星它们主推的400+层一比，营销数字上似乎就有点吃亏了。

  332层 vs 400+层：铠侠声称“更优”

  然而，铠侠并不这么认为。他们明确表示，自己的332层闪存比业界的400+层产品更优，并且还给出了具体的对比数据。

  从公布的信息来看：

  • 332层虽然在层数上少了约23%，但每GB成本反而低了近10%。
  • 能效提升了10%以上。
  • 可靠性更是提升了超过35%。

  

  客观看待：层数竞赛背后的物理逻辑

  当然，这种比较多少有点“田忌赛马”的味道——铠侠只展示了自己的优势维度，却避开了存储密度这个指标。

  客观来说，在单位面积存储容量方面，400+层的方案应该更强，否则三星它们也不会执意去堆层数。说到底，层数竞赛背后还是有一定物理逻辑的。

  键合技术领先：铠侠的底气所在

  铠侠另一个自信的领域是性能——这得益于他们对CBA（CMOS直接键合）技术的掌控。

  按照他们的规划，到2029年接口速度能做到4.8Gbps，而届时其他厂商预计仍停留在3.6Gbps左右。铠侠据此声称，在闪存键合技术上，他们能领先美国和韩国的同行大约四年时间。

  思考：闪存键合技术还有谁？

  说到这里，不妨思考一个问题：在闪存键合技术上有优势的厂商还有谁？估计不少人会想到国内的YMTC。这其中的叙事空间，其实远比层数数字本身要精彩。

  

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