SK海力士发布iHBM技术：直击高算力芯片散热痛点

近期，SK海力士正式发布了一项名为“iHBM”的控温散热存储技术。这并非简单的性能优化，而是瞄准了下一代高算力芯片的“热管理”核心难题。

核心技术：主动嵌入的ICE冷却元件

这项技术的核心在于一个名为“ICE”的全新冷却元件。它采用了一种绝缘且高导热性的硅基材料。

传统HBM产品的散热，主要依赖热量从核心芯片向外传导，属于间接、相对被动的散热方式。

而iHBM的思路则更为直接和主动——它将ICE元件直接嵌入到发热最集中的D2D PHY区域。这相当于为“热点”区域专门开辟了一条高效的热量排出通道。

显著效果：热阻降低30%以上

相比传统方案，iHBM的热阻降低了30%以上。

这意味着在高温、高负载等严苛运行环境中，产品的稳定性和可靠性得到了实质性提升。对于追求极致能效和稳定性的数据中心与AI计算场景而言，这是一个重要进展。

量产优势：兼容现有设计，降低导入门槛

新技术能否成功，量产可行性与客户导入成本是关键。iHBM在这方面选择了稳健路径：

• 工艺成熟：采用已获市场广泛验证的先进MR-MUF（批量回流模制底部填充）晶圆级封装工艺，为规模化稳定量产奠定基础。
• 兼容性高：该技术与客户现有的系统级封装环境设计兼容性较高。客户无需进行大规模设计改动即可直接部署，这大大降低了新技术的实际应用门槛。

未来规划：应用于下一代HBM产品

根据规划，SK海力士计划将iHBM技术应用于未来的HBM5等下一代产品中。

其目标明确：旨在满足高性能计算及AI数据中心等对超高集成度和高带宽有极致要求，同时又被散热问题严重制约的应用场景。

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