3月11日消息，近日，存储大厂美光正式发布1γ（gamma）10nm级DRAM内存之后，已经开始向Intel、AMD等客户交付1γ DDR5内存的样品，成为存储行业第一家达成这一里程碑的企业。

据报道，在交付的1γ DDR5内存的样品中，美光仅使用了一层EUV极紫外光刻，目的是通过减少EUV的使用，来加速量产先进制程内存，并降低成本投入。

值得一提的是，DRAM内存行业的节点工艺一直不标注具体nm数值，而是1a、1b、1c，或者1α、1β、1γ这样的迭代顺序，其中1a比较接近20nm，1γ则接近10nm。

1γ内存这是美光内存第一次用上EUV极紫外光刻工艺。相较于美光，三星、SK海力士在内存技术发展中则更依赖EUV。 三星自2020年起在DRAM内存生产中采用EUV，计划在其第6代1c的10nm级DRAM内存中采用超过5个EUV光刻层。

而SK海力士也在2021年导入EUV光刻技术，并计划在下一代1c的10nm级DRAM中采用类似策略。

按照美光的说法，此前在 1α（1-alpha）和 1β（1-beta）DRAM节点的领先优势，1γ DRAM节点的这一新里程碑将推动从云端、工业、消费应用到端侧AI设备（如 AI PC、智能手机和汽车）等未来计算平台的创新发展。

美光1γ DRAM节点将首先应用于其16Gb DDR5内存，并计划逐步整合至美光内存产品组合中。

其中，16Gb DDR5内存的数据传输速率可达9200MT/s（4600MHz x 2），与前代产品相比，速率提升高达15%，功耗降低超过20%。单片晶圆的容量密度产出较上一代提升30%以上。

目前，AMD、Intel均已开始对1γ内存的技术验证。

AMD服务器平台解决方案工程部门企业副总裁Amit Goel表示：“我们很高兴看到美光在 1γ DRAM 节点方面取得的进展，并已开展对美光1γ DDR5 内存的验证工作。

我们致力于通过下一代 AMD EPYC（霄龙）数据中心产品以及全系列消费级处理器，持续推动计算生态系统的发展，因此与美光的紧密合作至关重要。”

Intel内存与IO技术副总裁兼总经理Dimitrios Ziakas博士表示：“美光1γ节点的进步为Intel服务器和AI PC带来了显著的功耗及容量优化。我们很高兴看到美光在 DRAM 技术方面的持续创新，并期待基于这些优势进一步提升服务器系统的性能和PC的续航。

Intel正在通过其严格的服务器验证流程，对美光1γ DDR5内存样品进行验证，从而为我们的客户提供高品质、体验一流的服务器系统。”

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