三星抢先布局1nm芯片工艺，力争超越台积电！据报道，三星电子已启动1nm（纳米）晶圆代工工艺研发，目标于2029年后实现量产。此举旨在弥补目前在2nm工艺等方面与台积电的差距，力图实现技术反超。

业内消息显示，三星电子半导体研究所已组建专门团队，负责1nm工艺的开发工作，成员多来自参与2nm工艺研发的精英工程师。目前三星公开的路线图显示，1.4nm工艺计划于2027年量产，而1nm工艺则需要突破现有技术瓶颈，并依赖于高数值孔径极紫外光（High-NA EUV）光刻机等先进设备。

在3nm和即将量产的2nm领域，三星目前落后于台积电，尤其在2nm良率方面差距显著（台积电已超过60%）。因此，提前启动1nm工艺研发成为三星追赶竞争对手的关键策略。

值得注意的是，台积电也正积极推进1nm级工艺的研发，去年已宣布将在2026年下半年量产介于1.4nm和2nm之间的1.6nm（16A）技术，以应对人工智能（AI）市场对先进半导体技术的迫切需求，并为下一代工艺发展奠定基础。 这场1nm芯片工艺的竞争，将进一步推动半导体行业的快速发展。