1月17日消息，台积电去年在美国压力下宣布追加1000亿美元投资，对美芯片工厂总投资将达到1650亿美元，然而最新的谈判结果中，台积电的投资力度只会更大。

美国要求中国台湾方面的投资总额不低于2500亿美元，其中大部分显然是台积电投资推动，目前具体会增加多少还不确定，但比去年追加的1000亿美元要高。

不仅要巨额投资，台积电还需要把先进产能转移到美国本土生产，美国商务部长卢特尼克提出的要求是美国总统4年任期内台积电要把40%产能转移到美国工厂。

对于这一要求，台积电CFO黄仁昭日前在采访中没有正面回应，只表示台积电加快对美投资是因应客户需求，目前进展相当顺利。

他指出台积电在美国将投资6座晶圆生产工厂、2座先进封装工厂、1个研发中心，此前购买的第一块土地面积为1160英亩，已经不够用了，为此他们又购买了第二块面积900英亩的土地。

对于美国掏空台积电的质疑，尤其是先进技术流入美国的问题，黄仁昭表示最先进的工艺还是会留在台积电本土工厂。

他表示基于务实考量，最先进工艺会在本土工厂运行，稳定成熟之后才会转移到海外，这至少需要1年以上时间。

不过此前台积电方面的表态是落后2代的工艺才能出口到海外，按照业界至少2年一代工艺的情况来算，意味着要拉开4年差距，而台积电现在只把量产1年的工艺就转移到美国，其中的情况不言自明。

由于先进工艺的技术演进问题，3nm与2nm看似差距一代，但技术本质差别并不明显，未来2nm到A16工艺更是如此，因此美国工厂的技术差距跟本土工厂其实远没有拉开。

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