美光在FY2026Q2财报会议上透露，计划于2027年量产的下一代HBM4E内存将基于1γ（第6代10nm级）工艺的DRAM Die，相比HBM4实现制程升级。

在DRAM工艺开发方面，美光表示1δ工艺节点将采用更高比例的EUV光刻技术，为此计划导入最新一代EUV光刻设备以优化生产效率和图案化表现。

美光正从传统的长期协议转向包含多年具体承诺的战略客户协议模式，以提升业务稳定性和客户确定性。

尽管预测PC和智能手机出货量可能下滑10%以上，美光仍提高了本财年资本支出规模，以满足晶圆厂洁净室建设需求。

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