宏芯宇发布22nm制程自研UFS2.2主控芯片HG2325
时间:2026-06-09 | 作者:318050 | 阅读:0在COMPUTEX 2026上,存储半导体模组企业宏芯宇(HOSINGLOBAL)带来了一款自研UFS 2.2嵌入式闪存主控芯片——HG2325。这款芯片的发布,意味着国产存储主控阵营又多了一位值得关注的选手。
核心规格:22nm制程 + 自研纠错引擎
HG2325采用22nm成熟制程,内部塞进了大容量SRAM缓存。同时搭载了自研的4KB LDPC硬件纠错引擎。
这套组合让它能够很好地适配主流的3D TLC和QLC NAND闪存。闪存接口速率也做到了1600MT/s——放在UFS 2.2这个定位上,性能表现相当扎实。
兼容性与容量
在兼容性方面,芯片覆盖了高通、联发科技、紫光展锐等主流SoC平台。容量规格从64GB一直到1TB,跨度够宽。
重点看一下512GB版本:
- 顺序读取速度可达1060MB/s
- 顺序写入速度可达975MB/s
这样的成绩对于UFS 2.2来说已经相当能打。
产品线布局:从消费级到车规级
除了这款主控芯片,宏芯宇还在台北国际电脑展上摆出了一系列产品线,包括:
- PCIe Gen5 x4 eSSD
- DDR5-5600 RDIMM
- 车规级的嵌入式闪存和固态硬盘
从消费级到车规级,布局意图很明显。
来源:整理自互联网
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