不用再画高速内存走线了!AMD发布封装黑科技:单芯片内置32GB高速内存
时间:2026-06-30 | 作者: | 阅读:06月30日消息,AMD今日发布了Versal Premium Gen 2 Memory on Package(MoP)自适应SoC。
将高达32GB的LPDDR5X内存直接集成到单颗芯片封装内,提供最高288GB/s的带宽,同时相比传统板载内存方案,减少高达60%的电路板面积。
标准版Versal Premium Gen 2已开始出货,MoP版本将于2026年底提供样片,2027年下半年启动量产出货。
MoP架构将LPDDR5X内存通过有机基板封装工艺直接集成,互连间距仅0.4毫米,走线距离极短。传统方案需要工程师在电路板上进行高速内存布线,耗费大量时间进行仿真和验证。
MoP采用预验证的片内LPDDR5X接口,直接省去这一环节,大幅缩短开发周期、降低设计风险。
与HBM方案相比,MoP的核心优势在于长生命周期支持。HBM锚定数据中心场景,无法提供10至15年的长期供货支持,也无法通过零下40摄氏度的低温工业级认证。
Versal Premium Gen 2 MoP支持零下40至零上110摄氏度的工业级运行温度,并提供超过15年的生命周期支持,特别适合航空航天、国防、工业控制等需要长期稳定部署的关键任务场景。
接口方面,MoP器件集成CXL 3.1和PCIe 6.0硬核IP,传输速度高达64Gb/s,与AMD EPYC CPU搭配时可实现高速数据搬运。
LPDDR5X支持最高9000Mb/s速率,并可通过CXL内存池化与扩展模块灵活扩展内存资源。
首批受益的应用场景包括测试测量设备、专业视频编辑系统,以及用于安全通信和国防加速的VPX系统。
MoP架构还打开了EDSFF和3U VPX等紧凑形态系统的设计空间,这些场景此前因外部内存的尺寸限制难以实现。
来源:https://news.mydrivers.com/1/1133/1133122.htm
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