EMIB-T：从桥梁到立交桥

在ECTC 2026上，英特尔正式亮出了下一代封装方案EMIB-T。EMIB核心是嵌入式硅桥，负责局部高密度互连。而EMIB-T在硅桥里加入了硅通孔，实现垂直供电——电流直穿基板抵达芯片，供电路径大幅缩短，供电密度明显提升。如果说EMIB是连接芯粒的桥梁，EMIB-T就是一座立交桥。

关键技术突破

这次公布的关键进展不少：

• 第一层互连的凸点间距已缩小到25微米，封装尺寸扩展到120×120毫米。
• 单个封装能集成超过9倍光罩面积的计算与存储芯片，实际已突破10倍掩模芯片数量。
• 协同优化信号与供电完整性后，HBM4e传输速率飙到12Gb/s以上，UCIe接口达64Gb/s。

封装尺寸不再被供电瓶颈卡脖子，这才是关键所在。

对比台积电CoWoS：成本优势明显

和台积电CoWoS对比，优势就很明显了。CoWoS把所有芯片都放在一块大面积硅中介层上，尺寸受光罩极限严格限制。EMIB则是把局部硅桥嵌入有机基板，只在需要互连的地方做桥接。

微小的硅桥可以在晶圆上密集排列，几乎没有浪费。去掉大面积中介层也让封装成本大幅降低。综合来看，EMIB-T有望比CoWoS方案成本低40%以上。

客户认可：谷歌、联发科转向EMIB-T

客户端的反应也印证了这一点。谷歌下一代TPU已决定放弃台积电CoWoS，转向英特尔的EMIB-T。联发科也在COMPUTEX 2026上宣布，下一代芯片将独家采用EMIB-T。良率方面，EMIB-T已突破90%，量产能力基本到位。

未来规划：2028年封装尺寸扩展至120×180毫米

展望未来，英特尔计划到2028年将封装尺寸扩展到120×180毫米，集成超过24颗HBM堆栈。先进封装正从单纯的芯片连接走向系统级集成，这条路越来越清晰了。

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