7月25日消息，美国出口管制切断了长鑫存储获取HBM制造工具的渠道，使其在主流AI内存市场难以与三星、SK海力士直接竞争。面对这一困境，长鑫存储正转向定制化DRAM寻求突破。

长鑫存储的战略重心转向3D集成电路（3D IC）和3D DRAM技术。这种新型架构设计有望在不依赖传统HBM设备的前提下，解决数据传输的性能瓶颈。

据悉，长鑫已在合肥启动键合DRAM研发线，目标是用DUV设备配合多重曝光工艺制造10纳米级高性能DRAM。

不少无晶圆厂芯片设计公司已就此类定制化设计向三星提出合作意向，但三星和SK海力士目前均采取审慎态度。

对这两家韩国巨头而言，大规模出货标准DRAM模块是其当前最主要的利润来源。转向高度定制化的3D DRAM市场不仅违背其成熟商业模式，还带来巨大研发与市场风险。尽管韩国双雄也在开展前沿技术研究，但短期内无大规模商业化计划。

值得一提的是，中国半导体厂商已研制出多款3D DRAM样品芯片并开始对接客户项目。长鑫存储、华邦等厂商被认为可能在这一细分方向上迎来新的发展机会。

这种避险策略，很可能让三星和SK海力士在下一个赛道栽跟头。长鑫的定制化路线一旦跑通，就不会再回到韩国厂商统治的标准化DRAM战场。等到那时，三星和SK海力士想追都追不上。

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