SK海力士12层HBM4E样品交付 引脚速率16Gbps能效提升超20%
时间:2026-08-10 | 作者:多维游侠 | 阅读:0AI专用DRAM竞赛加速
先说几个关键点。AI专用DRAM的竞赛,正在进入一个全新的加速阶段。
新一代HBM4E样品交付
6月18日,SK海力士正式向核心客户交付了12层堆叠的HBM4E样品。
这可不是普通的样品,而是他们最新一代的AI专用DRAM,专门为应对更高强度的训练与推理负载而生。
用官方的说法,这次交付依托的是他们在HBM领域积累多年的先导研发能力和量产经验。接下来的目标很明确——和核心客户紧密合作,确保按计划顺利量产。
性能与能效跨越式升级
既然是换代产品,硬指标肯定得拿得出手。和上一代HBM4相比,HBM4E在性能和能效上都是一次跨越式升级:
- 引脚速率最高打到16Gbps
- 能效提升了超过20%
这意味着什么?在AI训练和推理场景中,数据处理能力的提升将是实打实的。
延迟优化与稳定性提升
更关键的是,通过新一代接口设计和架构优化,HBM4E有效地压低了数据传输延迟。
即使在极高带宽的压力环境下,也能保持稳定运行——这恰恰是下一代AI数据中心和大规模计算系统最需要的特质。用一句话总结就是:更快、更强、更冷静。
制造工艺突破
制造工艺方面,HBM4E采用了先进的MR-MUF(批量回流模塑底部填充)技术。12层堆叠下,单颗容量做到48GB,同时结构稳定性得到了进一步优化。
一个值得注意的数字是:和HBM4相比,其热阻降低了约17%。高性能计算环境里,散热从来都是绕不开的难题,这个改进的意义不言而喻。
市场反应积极
消息公布后,市场反应相当直接。SK海力士股价周四在韩国市场上涨4.17%,而同期竞争对手三星电子仅微涨0.87%。
从年初算起,SK海力士的累计涨幅已经达到287%——这个数字背后,折射出资本市场对其在AI存储器领域持续创新能力的信心。
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