8月24日消息，中天弘宇近日宣布第一代8M NOR Flash存储产品累计出货量已突破6亿颗大关，基于同一技术架构的第二代产品即将进入送测和量产阶段。

中天弘宇采用独创的二次电子倍增注入浮栅技术路线，这是一种通过二次电子效应增强浮栅中电荷注入效率的新型存储原理，与传统热电子注入方式相比具有更高的编程效率和更低的功耗。

在半导体物理层面，浮栅结构的电荷注入与保持机制直接决定了存储器件的性能边界，传统技术路线在制程微缩过程中面临浮栅耦合干扰加剧、电荷泄漏风险上升等固有难题。

中天弘宇通过二次电子倍增效应重构了电荷注入的物理过程，不仅提升了注入效率也为后续制程下探保留了工艺窗口。

中天弘宇第二代产品采用28nm工艺，单芯片容量达到2Gb级别，与第一代产品相比容量增长256倍，这一跨越式提升源于底层架构对制程微缩的天然友好性。

在保持兼容NOR Flash接口标准的同时，第二代产品有效化解了传统闪存制程下探的复杂性难题。

陕西省半导体行业协会理事长张玉明表示，中天弘宇在兼容NOR Flash的新型闪存领域实现重大原创突破，对推动我国存储芯片产业自主可控意义深远。

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