刚拿到长江存储专利 三星就宣布400+层闪存!首次双晶圆键合
时间:2025-02-27 | 作者: | 阅读:02月27日消息,见证历史的时刻!全球第一的存储巨头三星,居然购买中国长江存储的专利技术,来打造未来产品,而在拿到授权的第一时间,三星就宣布了基于相关技术的成果:400多层堆叠的第十代V-NAND闪存。
和众多传统闪存厂商一样,三星也是一直将CMOS控制电路放在存储阵列之下,在同一块晶圆上制造,而随着堆叠层数、存储密度的急剧增加,这种架构越来越难以推进。
长江存储的Xtacking晶栈架构则是在两块晶圆上分别制造控制电路、存储阵列,然后键合在一起,制造难度和成本大大降低,也有利于持续升级。
三星的第十代V-NAND,就将引入这种设计。
铠侠/闪迪的闪存从第八代到日前刚发布的第十代,也是类似架构。
三星第十代V-NAND将堆叠超过400层(具体数字未公开),夺回世界第一,超过开下刚刚创记录的332层。
首发TLC,单Die容量1Tb(128GB),存储密度每平方毫米28Gb,略低于三星1Tb QLC颗粒的平方毫米28.5Gb,也远不如铠侠第十代的大约每平方毫米36.4Gb,因为密度不是三星的首要目标,层数才是。
接口传输速度倒是领先,达到了5600MT/s,也就是700MB/s。
因此,只需10颗芯片就能吃满PCIe 4.0 x4,20颗吃满PCIe 5.0 x4,32颗就能吃满PCIe 6.0 x4。
事实上,大多数NAND闪存芯片都是8颗或者16颗Die封装而成,因此16颗就能做到单颗芯片2TB,M.2 SSD单面能做到8TB,双面可达16TB。
当然,因为兼容性问题,双面的并不多见。
按照三星的规划,2030年左右将做到1000层堆叠!
来源:https://news.mydrivers.com/1/1032/1032873.htm
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