3月19日消息，今天SK海力士宣布推出面向AI的超高性能12层（12Hi）HBM4内存，并在全球率先向主要客户出样，这也意味着SK海力士在高性能内存领域再次取得领先。

SK海力士的12Hi HBM4内存采用了24Gb DRAM芯片，并继续使用先进的MR-MUF（先进批量回流-模制底部填充）键合工艺。

该内存单封装容量达到36GB，带宽高达2TB/s，运行速度较上一代HBM3E提升了60%以上。

SK海力士强调，凭借其在HBM市场的技术竞争力和生产经验，公司能够比原计划更早地实现12层HBM4的样品出货，并已开始与客户的验证流程。

公司计划在2025年下半年完成量产准备，进一步巩固其在新一代AI存储器市场的领导地位。

日前还有报道称，SK海力士预计将独家供应英伟达Blackwell Ultra架构芯片第五代12层HBM3E，预期与三星电子、美光的差距将进一步拉大。

反观竞争对手三星这边，HBM3E此前一直未能获得英伟达品质认证，而最新消息则是三星新HBM3E在日前英伟达的审核中获得令人满意的评分，预计最快6月初通过英伟达等的品质认证。

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