6月2日消则，之前我们说过，不用EUV光刻机也能做出5nm。

前段时间，世界上就有一种“特殊”5nm的消息传出。这种5nm采用了完全不一样的技术路线，避开了EUV光刻机的依赖，采用一种步进扫描光刻机，通过多重曝光实现5nm线宽。

那没有EUV光刻机，3nm有戏吗？

最新报道指出，还是这家5nm品牌，最近已经打算推出3nm工艺制程技术的AP（应用处理器），目标是在2025年问世。

该芯片采用全环绕栅极（Gate-All-Around，GAA）技术能有效降低电流泄漏并提升性能，是台积电、三星等在先进制程上采用的关键技术。

只是，这项计划却面临显著的挑战。 市场普遍质疑，到底能不能行。

之前，他们就是采用了通过使用深紫外光（DUV）曝光机的多次曝光，来达成5nm制程的量产。

市场认为，在3nm米制程上也可能采取类似的方法。 然而，相较于EUV，采用DUV的多次曝光方式会显著增加制程步骤，这不可避免地会导致良率和生产效率的下降。

所以，未来的问题的核心，就看自己能不能搞定EUV光刻机了。