宣称2nm技术良率大突破:三星再提超越台积电目标!
时间:2025-10-22 | 作者: | 阅读:010月22日消息,据报道,三星电子近期在先进半导体技术领域展现出强劲的信心,特别是对其2纳米GAA制程的进展高度乐观。
报道称,在由总统办公室政策首席Kim Yong-beom主持的一次半导体产业会议上,三星设备解决方案部门总裁兼技术长Song Jae-hyuk对2纳米GAA制程给出了极高的评价。
此前几年,三星晶圆代工业务的表现一直不如人意,市场份额被台积电大幅领先,但目前情况似乎有所转变。
报告指出,三星已将2纳米GAA的良率目标从原定的50%大幅提高至70%,并计划在2025年底实现这一目标。
一位知情人士透露,三星高层在会议上的言论可以解读为:公司正顺利实现其预期的2纳米制程良率和芯片性能目标。
Song Jae-hyuk更是暗示了雄心壮志,希望借助2纳米GAA节点的成功,最终在全球晶圆代工市场中夺取第一的位置。 不过他也坦言,在追赶台积电以及应对技术和人力挑战方面,公司需要政府提供强有力的支持。
三星首款采用2纳米GAA技术的芯片将是其自研Exynos 2600,初步的内部测试结果显示,Exynos 2600性能超越了竞争对手苹果的A19 Pro和高通的第五代骁龙8至尊版。
来源:https://news.mydrivers.com/1/1081/1081759.htm
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