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SK海力士联手NVIDIA开发下一代AI NAND:性能提升10倍!

时间:2025-12-11  |  作者:  |  阅读:0

12月11日消息,SK海力士宣布与将NVIDIA展开深度合作,共同开发下一代AI NAND解决方案,旨在解决AI运算与存储之间长期存在的瓶颈问题。

这款突破性产品预计在2026年底推出首批样本,其性能相较现有产品将提升近10倍。

SK海力士副社长Kim Cheon-seong在“2025人工智慧半导体未来技术会议(AISFC)”上指出,SK海力士正专注于针对数据中心和边缘计算的不同需求,开发高附加值的AI内存产品。

在AI数据中心领域,SK海力士正在开发一套名为“AIN Family”的产品线,该产品线由三种不同侧重点的NAND解决方案组成,分别针对性能(AI-NP)、频宽(AI-NB)和容量(AI-ND)进行优化。

其中,AI-NP是专为大规模AI推论环境设计的核心解决方案,其目标是通过全新的NAND与控制器架构,最大限度地降低AI运算与存储之间的数据瓶颈,从而大幅提升处理速度和能源效率。

Kim Cheon-seong透露,SK海力士正加速与NVIDIA合作进行AI-NP的概念验证,预计在2026年底将推出采用PCIe Gen 6接口的版本,并支持2500万次IOPS。

目前数据中心高性能企业级SSD的IOPS最高约在300万次左右,换言之,AI-NP的首批样本性能将是现有产品的8至10倍。

SK海力士预期在2027年底左右,将推动支持1亿次IOPS的第二代AI-NP产品量产,届时其性能有望达到现有eSSD的30倍以上。

除了AI-NP,SK海力士还在优化AI-NB产品,即高频宽闪存(HBF),其概念类似于HBM内存,但HBM是通过堆叠DRAM实现的,而HBF则是通过堆叠NAND闪存来制造。

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来源:https://news.mydrivers.com/1/1091/1091984.htm
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