抢先三星、SK海力士！铠侠332层闪存加速量产

就在三星和SK海力士双双推迟第十代NAND量产计划之际，闪存市场的另一位巨头——铠侠，率先亮出了自己的量产时间表。

量产时间表明确

近日，铠侠正式将第十代BiCS10 3D NAND闪存的量产，列为2026财年的首要战略重点。

具体时间窗口已经锁定在2026年5月至2027年3月之间。这意味着，在下一代闪存技术的量产竞赛中，铠侠暂时抢占了先机。

技术规格大幅升级

技术层面，这次升级的幅度相当可观。

• 堆叠层数：BiCS10采用332层存储单元堆叠架构，相比目前主流的BiCS8（218层），堆叠层数直接提升约52%。
• 位密度：带来的直接好处是位密度大幅跃升，增幅高达59%。

性能与能效显著提升

性能的提升不止于此。

• 传输速率：配合新一代Toggle DDR 6.0接口标准，其I/O传输速率从上一代的3.6Gbps提升到4.8Gbps，提速约33%。
• 功耗表现：输入功耗降低10%，输出功耗更是大幅降低34%。
• 存储容量：在标准TLC模式下，单颗芯片就能实现2Tb的存储容量。

沿用成熟架构确保可靠性

为了实现高密度与高可靠性的平衡，铠侠继续沿用了其成熟的CMOS直接键合阵列（CBA）架构。

简单来说，这种技术将逻辑电路和存储阵列分别在不同的晶圆上制造，然后再进行精密键合。

这样一来，无需借助更复杂、可能牺牲可靠性的PLC架构，就能达成设计目标。

生产布局与成本考量

生产布局上，铠侠将BiCS10的量产重任交给了日本岩手县北上市的K2新工厂。

这家工厂配备了专门为高层数NAND闪存量身定制的设备。选择改造升级现有工厂，而非从零开始新建，也为铠侠在资本支出上节省了一大笔。

未来挑战与不确定性

当然，计划赶不上变化，不确定性依然存在。

一个关键点是，铠侠目前尚未收到大规模的确切订单，相关的投资细节预计要到2026年下半年才会逐渐清晰。

因此，这份雄心勃勃的量产时间表，最终能否转化为相应的出货量，仍是摆在铠侠面前的最大考验。

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