5月25日消息，据当地媒体报道，三星电子近期利用单元多层键合(CMB)技术连接两片450层3D NAND，构建了全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型，这一样品的存储单元工作特性已得到验证。

该技术核心是两片450层晶圆垂直整合，突破传统单次堆叠极限。

三星自研“上部卡盘”技术解决高层堆叠晶圆翘曲难题，新型套刻校正技术将键合对准误差控制在纳米级，保障良率。

同时优化位线（BL）与字线（WL）结构，在提升密度的同时降低芯片功耗与尺寸。

作为AI服务器、数据中心SSD及高端手机存储核心，3D NAND层数直接决定存储密度。

当前量产市场SK海力士以321层4D NAND领先，三星计划年内量产400层以上第十代V-NAND，此次900层原型将技术差距进一步拉大。

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