核心判断：混合键合技术在HBM赛道全面落地受阻

先说一个核心判断：混合键合技术在HBM这条赛道上的全面落地，短时间内基本没戏了。

来自韩媒的最新消息是，三星电子和SK海力士这两大巨头，正遭遇不小的阻力。他们在引入混合键合技术以打造下一代高带宽存储器的路上，走得并不顺利。

简单来说，混合键合技术想在下一代HBM上全面应用，怕是比预想的要晚不少。

行业分析师们几乎形成了一致判断：两家公司正在重新评估采用混合键合的时间节点。甚至到了HBM5这一代，也存在暂不采用的可能。

混合键合技术本身是“好东西”，但问题在哪？

混合键合本身确实是个好东西。它的核心原理是直接连接DRAM芯片间的铜线，完全省去了传统工艺中那些微小的凸点。

好处是显而易见的：芯片能做得更薄，散热效果也能得到改善。但问题出在哪？

关键在于，行业标准出现了松动。

厚度标准放宽，混合键合核心优势被削弱

JEDEC正在讨论是否要将HBM5的厚度标准从目前的775微米，放宽到最高约1000微米。要知道，HBM3E的标准厚度是720微米，HBM4已经放宽到了775微米。

厚度标准一旦松绑，混合键合那种“无凸点、减厚度”的核心优势，瞬间就不那么紧迫了。

散热问题也有更简单的解法

散热问题也一样，两家公司都找到了更简单的解法。

• 三星拿出了HPB热通道模块。说白了就是在封装内部塞进一个独立的热柱，专门负责从堆叠内部把热量导出去。
• SK海力士也不甘示弱，推出了iHBM技术。他们把一种既绝缘又导热的硅冷却元件，直接嵌入到D2D的PHY层。他们宣称这玩意比现有方案能降低超过30%的热阻。

而且两家公司都计划从HBM5开始全面应用各自的散热方案。

市场对16层HBM的需求并不急迫

从另一个角度看，市场对16层HBM的需求其实也没那么急迫。目前无论是客户还是内存制造商，都没怎么认真讨论16层产品的问题。

业界普遍预期，即使到了HBM4E阶段，12层堆叠依然大概率是市场上的主流产品。

高堆叠产品的需求不紧迫，这就进一步延缓了混合键合技术规模化部署的节奏。

研发并未停止，真正的变数在未来

不过话说回来，混合键合的研发并没有被彻底放下。当前的HBM4，I/O数量已经翻倍到了2048个。

真正的变数在未来。业内判断，如果到了HBM5E阶段，I/O数量再次翻倍到4096个，那现有的TC热压合工艺就真的扛不住了——因为凸点会发生横向扩散，物理上就难以支撑。

届时，混合键合就成了必须攻克的技术高地，以实现更高密度的连接。

总结：短期受阻，长期仍是明确方向

总结一下：

• 短期内，混合键合不会大规模部署，这一点基本确定。
• 中长期来看，当I/O密度再次迎来爆炸式增长时，它依然是最明确的演进方向。