8月6日消息，铠侠与闪迪近日联合发布新一代QLC 3D闪存技术。

该技术采用332层堆叠架构，并辅以优化的布局设计，位密度较第八代产品提升高达60%，达到超过37 Gb/mm2的水平，在位密度、性能及能效等关键指标上均树立了新的行业标杆。

此次新一代QLC 3D闪存技术引入了CBA（CMOS directly Bonded to Array）工艺，将CMOS逻辑电路与存储阵列分别制造于独立的晶圆之上，再通过高精度晶圆对位键合工艺实现一体化集成，从而有效提升位密度并支持更高速的NAND I/O接口。

同时，该技术搭载Toggle DDR6.0接口标准和SCA协议，成为业界首款NAND I/O接口速率达到4.8 Gbps的QLC 3D闪存产品。

此外，新方案还采用了PI-LTT技术，在降低功耗的同时，提高了I/O数据传输能效。随着人工智能（AI）应用加速普及，海量数据增长对数据中心能效提出更高要求，此项改进恰逢其时。

官方确认，新技术基于第十代BiCS FLASH闪存技术平台。上个月，采用相同层叠架构（332层）的TLC闪存样品已开始出货，其位密度为29 Gb/mm2。相比之下，本次QLC版本在存储密度上优势更为突出。

目前，铠侠正并行推进两条截然不同的产品路线：第九代BiCS FLASH以相对较低的资本投入实现高性能表现；第十代BiCS FLASH则借助先进的层叠工艺，面向超大容量与极致性能场景，两者各自满足差异化的市场需求。

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