1月20日消息，美光近日宣布，其位于美国纽约州奥农达加县克莱镇的巨型DRAM内存晶圆厂正式破土动工。

据悉，该项目总投资规模达1000亿美元，规划兴建多达四座晶圆厂，建成后将成为美国最大的半导体制造基地，并为当地创造约5万个就业机会。

美光表示，纽约晶圆厂将成为全球最先进的存储器制造基地之一，以支持人工智能、数据中心与高效能运算等长期需求。

该项目也是美光约1,000亿美元美国扩产计划的核心工程，并获得《芯片与科学法案》政策支持。

该厂预计于2030年前后开始投产，并于未来十年逐步提升产能。 美光指出，相关投资将有助于实现40% DRAM产品于美国本土生产的目标，并强化美国半导体供应链韧性。

美国商务部长卢特尼克（Howard Lutnick）16日出席美光纽约州新厂动土典礼时放话，声称不在美国生产的存储制造商，可能面临100%关税。

根据科技新闻网站Wccftech表示，该威胁首当其冲就是瞄准韩国三星和SK海力士，至于中国台湾的南亚科和华邦电也恐将面临麻烦。

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