第七代DRAM标准之争进入决定性阶段

第七代DRAM（1d制程）的标准之争，已经进入了决定性的阶段。

三星和SK海力士这两大巨头，正围绕下一代存储芯片的底层架构展开激烈角逐。谁能率先实现量产，谁的技术方案就更有可能成为行业公认的下一代标准。

这场对决的胜负，将深刻影响未来几年全球内存市场的格局。

三星的路径：跨界融合GAAFET工艺

三星选择的路径，是将逻辑芯片领域的先进工艺引入存储领域。

他们计划推广GAAFET（全环绕栅极晶体管）工艺。在处理器中，GAAFET通过栅极全方位包裹沟道，能实现对电流的精准控制，从而提升性能和能效。

但将这套逻辑搬到DRAM上，挑战不小——三星必须将GAAFET晶体管与存储数据的关键部件“电容器”，巧妙地整合在同一个存储单元内。

为此，三星的工程师们把目光投向了NAND闪存的设计思路。

他们考虑将负责读写操作的控制电路，放置在存储阵列的下方，以实现更紧凑的结构。

根据计划，三星将在2026年的VLSI研讨会上，首次公开展示其16层垂直堆叠的DRAM方案。

这个方案的核心，正是采用了GAA晶体管和水平放置的存储电容器，这被视为一次大胆的跨界融合尝试。

SK海力士的垂直突围：4F架构

另一边，SK海力士则押注于一条不同的技术路线：4F架构。

这里的“F”代表芯片的最小特征尺寸。简单来说，4F结构就是一个2F×2F的正方形单元。

相比目前主流的6F（3F×2F）长方形设计，这种正方形单元能将芯片的表面积减少大约30%，这对于追求极致集成度的芯片来说，诱惑力巨大。

具体如何实现？SK海力士的方案是将晶体管垂直堆叠起来，同样用栅极材料包裹晶体管，而接收电容数据的组件则被安置在晶体管柱的下方。

这种垂直化的设计思路，目标直指高密度、高速度和低功耗。

实际上，SK海力士在2025年的IEEE VLSI研讨会上就已经公布了这项技术路线图，并展示了垂直栅极DRAM的电性特性验证结果，可谓有备而来。

量产时间线：未来两到三年的直接对决

技术路线已经清晰，那么量产时间表呢？

从目前流出的业界消息看，双方都已制定了明确的路线图，时间窗口高度重叠，竞争将异常直接。

• 三星：内部计划在第七代1d纳米制程之后，导入垂直通道晶体管技术。据此推测，相关产品最早可能在两到三年内面世。
• SK海力士：其垂直结构DRAM（包括4F架构）也计划在三年内进入量产阶段。

这意味着，大约从2027年开始，市场就可能迎来这两家巨头基于完全不同架构的新一代DRAM产品的正面交锋。

总结：两种未来方向的探索

这场架构大战不仅仅是两家公司的技术比拼。

它更代表了DRAM行业在物理极限逼近时，对未来发展方向的两种重要探索。

是三星的“横向融合”方案能引领潮流，还是SK海力士的“垂直精简”路径更胜一筹？

答案将在未来几年的实验室和生产线中揭晓。

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