5月12日消息，韩国海关最新发布的进出口数据，坐实了全球存储市场的疯狂涨价潮。DRAM和NAND闪存价格全线飙升，这轮冲击将全面影响全球内存和固态硬盘市场。预计，这种供需失衡的局面，至少还将延续2-3年。

AI超级周期拉动下，全球存储需求创下历史新高。韩国半导体厂商成为最大受益者，营收利润同步暴涨。

数据显示，截至2026年5月10日的一个月内：

NAND闪存涨幅最夸张，单月环比大涨63.1%，同比上涨351.6%；

DRAM裸芯片环比上涨20.9%，同比涨幅逼近500%；

HBM高带宽内存环比涨价18.7%，同比上涨165.5%；

整体内存品类同比涨幅达326.3%，环比上涨28.8%。

市场呈现出极端的冰火两重天。集邦咨询数据显示，消费级TLCSSD现货价格不涨反跌，跌幅达30%至40%。这是因为PC市场需求持续疲软，普通消费级存储库存严重积压。

与之形成鲜明对比的是企业级合约市场。MLC架构SSD合约价上涨50%，SLC架构SSD合约价上涨20%。三星、SK海力士、美光、铠侠等大厂，已将80%以上的先进产能转向AI专用存储产品。机构预判，本季度NAND合约价格还将继续攀升，涨幅预计在70%至75%。

供给端完全跟不上需求爆发的速度。但工厂建设并非一朝一夕之功，至少需要2-3年的时间才能建成并达到量产阶段。三星近期明确表态，2027年的存储供需矛盾，会比2026年更加尖锐。

与此同时，国产存储厂商正在加速突围，国内DRAM企业持续扩大产能，依托本土AI市场的旺盛需求，快速提升自研自产能力。这将有效对冲海外供给紧张和价格暴涨的冲击，降低对国际巨头的依赖。

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