一图看懂五大内存、闪存芯片:HBM4技术完美 HBF方兴未艾
时间:2026-06-29 | 作者: | 阅读:06月29日消息,AI时代从GPU为王的时代转向了存储为王的新时代,连NVIDIA CEO黄仁勋都几次去拜访三星、SK海力士去谈合作,谁能获得足够的存储芯片谁才能保住业务。
目前PC、手机、AI常用的存储芯片主要包括了DRAM内存及NAND闪存两种,但它们具体又可以分为多种类型,网友@harukaze5719发的一张图中详细对比了5大内存、闪存芯片的技术规格,有助于大家提高对内存/闪存芯片的认识。
具体来说主要有Flash Card闪存卡、LPDDR5移动内存、DDR5内存、HBM4内存及最近一两年才兴起的HBF闪存,后两者准确来说是堆栈类型,HBM是高速内存堆栈,HBF则是高速闪存堆栈,都是主打AI市场。
具体来说,闪存卡容量大,能轻松达到4096GB,但是性能也是最差的,带宽4GB/s,而且寿命也不高(相对内存而言),实际上这就是大家常见的SSD的参数指标。
LPDDR5-6400内存就是手机、笔记本常用的移动版内存了,近年来还有部分AI芯片也用这个标准,模组容量常用16GB,带宽51GB/s,3W功耗是最低的。
DDR5-6400就是台式机常用的内存标准了,容量可以比LPDDR5大不少,64GB单条的也罕见了,带宽一样,但功耗也提升到12W,延迟10-100ns级别。
HBM4主打超高性能,因此内存带宽1638GB/s可以说一骑绝尘,尽管功耗也提升到了40W,但每瓦带宽依然是最高的,延迟和寿命水平也是内存常规级别的,要不是太贵,它的技术指标是最完美的。
HBF是近年来才兴起的一种新标准,可以看作HBM的低成本替代,与HBM使用内存芯片堆叠不同,HBF使用的还是NAND闪存堆叠,优点是容量大幅提升,能做到512GB,读取速度也能到1638GB/s。
但是HBF的缺点也就是闪存的缺点,延迟1000ns远高于HBM4,功耗也高不少,寿命也比内存低多了,写入速度更没法比的。
总之,HBF可以在部分场景下替代HBM4,用于读取数据较多的AI场景比较适合,容量超大也能容纳更多的数据。
来源:https://news.mydrivers.com/1/1132/1132915.htm
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