三星内存涨幅突破400%，创史上最猛涨价潮

6月26日消息，三星电子在2026年4到5月期间，内存出口金额涨势惊人。

数据显示，三星DRAM产品的平均销售单价，年增幅已超过400%。背后最大推手，是通用型DRAM的强劲反弹。

价格走势：两季度累计涨约160%

2026年第一季度，三星直接将DRAM合约价上调了100%。

第二季度又环比上涨30%。

以2025年底价格为基准，这两季度累计涨幅已达160%左右。

行业数据印证涨势

TrendForce数据印证：2026年第一季度一般型DRAM合约价，季增幅高达93%到98%。

花旗更是预测，2026年全年DRAM均价涨幅将达到88%。

涨价核心驱动力：通用型DRAM短缺

业内人士分析，大厂纷纷将产能转向DDR5和HBM等先进制程产品，导致成熟市场供给紧张。

公开资料显示，一台AI服务器单机的DRAM搭载量，是传统服务器的8到10倍。

再加上通用服务器补库和AI PC普及需求，存储芯片供需缺口持续扩大。

NAND Flash同步上行，两大品类联手拉动

不光是DRAM，NAND Flash也进入上行通道。

韩国国际贸易协会数据显示，5月份韩国NAND闪存出口额同比暴增206.8%。

两大存储品类联手，大幅提升了三星半导体业务盈利。

财报与业绩展望

三星第一季度财报已释放信号：DRAM与NAND混合平均售价，较2025年全年均值暴涨146%。

韩国券商乐观预测，三星第二季度营收将达到179万亿韩元，营业利润约90万亿韩元——这比去年同期增长超过19倍。

业内判断，三星在存储产品上的议价优势将贯穿2026年全年。存储业务注定成为集团年度业绩增长的核心支柱。

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