7月8日消息，IDC发布最新报告指出，DRAM与NAND Flash市场正面临深层结构性转变。

受技术制程排挤与长约绑定影响，整体紧缺预计一路延续至2027年第四季。2028与2029年才是新厂产能开出的真正转折点。

自2026年起，全球记忆体需求重心已全面从PC和智能手机等消费应用转移至服务器、HBM及企业级SSD等AI基础设施。

2026年因材料成本攀升，传统消费级产品增长严重受压。PC与智能手机今年出货量预计分别减少12%与14%。

此外，PC材料成本暴增2至3倍，使得白牌与低阶市场受创最深。智能手机市场呈现“中低阶低迷、高阶旗舰款存活”的两极格局。

即便全球原厂预计2027年将DRAM总晶圆产能调升20%，实质产出仍面临结构性限制。先进制程遭遇产能限制，先进封装排挤效应显著。

随着下世代芯片架构准备导入LPDDR5规格的SOCAMM技术，到2027年HBM与SOCAMM两项先进封装需求将直接囊括全球超过30%的DRAM总晶圆产能。

IDC数据模型显示，2026至2027年间全球DRAM实际位元生产增长率将持续低于需求增速。供需缺口将随时间推移进一步加剧。

虽然全球大厂正持续规划新厂，但2027年前实质可开出的全新晶圆厂产能极为有限，手机、PC成本难以出现明显下调。

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