7月31日消息，瑞萨电子宣布推出第三代DDR5 MRDIMM芯片组解决方案，将服务器级DDR5 MRDIMM传输速率提升至16000 MT/s，较第二代方案带宽提高25%。

新方案包含第三代多路复用寄存时钟驱动器（MRCD，型号RRG5013）和多路复用数据缓冲器（MDB，型号RRG5103）两款核心器件，将在8月4日至6日于美国圣克拉拉举办的FMS 2026上展出。

MRDIMM架构在第二代中已经验证成熟，第三代在延续原有设计的基础上扩展性能，保持标准DIMM外形规格和系统兼容性，服务器平台无需进行破坏性架构变更即可获得更高性能。

瑞萨提供覆盖全链路的MRDIMM产品组合，包括MRCD、MDB、电源管理芯片（PMIC）、SPD Hub和温度传感器，客户可以跨代扩展MRDIMM性能的同时保持设计连续性。

第三代还引入了系统可视化和鲁棒性增强功能，包括器件均衡自训练模式（DESTM）质量指示状态，允许用户微调时序和接收器均衡训练以最大化裕量。

在功耗方面，瑞萨表示Gen 3方案在设计上兼顾了系统级能效，帮助客户在带宽需求增长与散热和功耗约束之间取得平衡，具体功耗对比数据将在产品文档中提供。瑞萨目前正与主要CPU和平台合作伙伴紧密协作，推动MRDIMM Gen 3在未来的服务器平台中落地。

MRCD（RRG5013x）和MDB（RRG5103x）现已向部分客户出样，包括所有主要DRAM供应商，预计2027年下半年量产。

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