HBM4E 良率突破 70% 大关

7 月 1 日传来消息：三星首席技术官在近期举行的 DS（器件解决方案）部门内部经营说明会上透露，其下一代高带宽存储器 HBM4E 的可靠性测试良率，已经妥妥站在了 70% 以上。

业界通常把 80% 以上视为工艺成熟的“稳定良率”门槛。而 HBM4E 目前还处于可靠性测试阶段，就能达到 70% 以上的水平。这意味着，开发进程已经正式进入一个稳定的区间。

第七代 DRAM 工艺取得技术优势

同一场合，这位首席技术官还透露了一个关键信息：三星在下一代 10 纳米级第七代 DRAM 工艺（D1d）上，已经取得了相对于竞争对手的技术优势。并且计划在今年 11 月 完成生产准备认证（PRA）。

12 层 48GB HBM4E 样品已交付

更早一些时候，三星已经向主要客户交付了业界首批 12 层 48GB HBM4E 样品。据三星介绍，作为 HBM4 的迭代升级产品，12 层 HBM4E 采用了第六代 10 纳米级 DRAM 工艺（1c），搭配三星晶圆代工的 4nm 逻辑基片。在性能、容量、能效与散热方面都实现了显著提升。它的目标非常明确，就是服务大模型、生成式 AI 以及高性能计算这些吃算力的场景。

性能提升：传输速度与带宽

到底提升了多少？先看传输速度。相比于 HBM4，HBM4E 能稳定提供 14 Gbps 的引脚传输速度，并且可以进一步扩展到 16 Gbps，目的就是满足日益增长的数据处理需求。整体性能提升了超过 20%，每个堆栈的内存带宽高达 3.6 TB/s。这对于最大化大模型和下一代 AI 系统的计算潜力，价值不言而喻。

容量升级：单颗 48GB，未来扩展至 64GB

容量方面，HBM4E 单颗提供 48GB，比上一代产品增加了 30% 以上。当然，三星并不打算只做单一配置。他们计划根据客户需求扩展产品线，未来还会提供：

• 32GB（8 层）版本
• 64GB（16 层）版本

能效与散热：能耗降低 16%，热阻改善 14%

除此之外，得益于低功耗设计与封装工艺的优化，产品能效提升了 16%，热阻改善了超过 14%。散热效率的显著增强，意味着 AI 数据中心在高负载下的能耗可以得到更有效的控制。

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