据悉，三大存储半导体制造商（三星电子、SK海力士、美光）已提前完成2027年DRAM内存产能分配。供应情况略好的NAND闪存预计也将在本月内敲定明年产能配额。

报道指出，在2026年遭遇严重短缺后，下游业者在寻求供应上更为积极，导致原本主要出现在HBM上的提前预定趋势扩展到整个存储芯片领域。此外，客户无论是否选择长期协议都在积极争取产能。

据估算，由于供应倾向于AI/HPC领域，智能手机与PC业者能得到的DRAM配额将大幅减少。

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