台积电2nm N2下半年量产!A16和N2P明年投产上市
时间:2025-04-25 | 作者: | 阅读:04月25日消息,台积电在2025年北美技术研讨会上透露,公司有望在今年下半年开始量产N2芯片,这是台积电首个依赖于全环绕栅极(GAA)纳米片晶体管的生产技术。
目前,台积电N3(即3nm)家族包括已经量产的N3、N3E,后续还将推出N3P、N3X、N3A和N3C。
而N2(即2nm)技术是台积电的全新工艺技术,称为纳米片或环绕栅极。N2将提供全节点性能和功耗优势,在相同功耗下速度提升10%-15%,或在相同速度下功耗提升20%-30%。
N2与目前台积电量产的N3E相比,性能可以提高10%-15%,功耗能降低25%-30%,晶体管的密度也可以增加15%。
同时,台积电表示N2的晶体管性能接近目标,256Mb SRAM模块的平均良率也超过90%,随着N2走向量产,工艺成熟度将处于较高水平。台积电还预计,在智能手机和高性能计算应用的推动下,2nm技术在前两年的流片数量将高于3nm和5nm技术。
此外,根据台积电持续改进的战略,公司还推出了N2P作为N2系列的扩展,N2P是在N2的基础上又进一步提升了性能和功耗优势,并计划于2026年实现投产。
而N2之后将进入A16(即1.6nm)节点。
A16的主要技术特点是其超级电轨架构,也称为背面供电技术,这种技术将供电网络移至晶圆背面,从而为正面释放更多布局空间,提升芯片的逻辑密度和效能。
台积电在研讨会上表示,A16相比N2P在相同电压和设计下,性能可提升8-10%,相同频率和晶体管数量下功耗下降15-20%;密度提升在1.07-1.10倍范围内。
台积电强调了A16最适合用于信号路由复杂且供电网络密集的特定HPC产品,而A16量产计划于2026年下半年进行。
台积电最后还表示,N2、N2P、A16及其衍生产品将进一步巩固他们的技术领先地位,使台积电能够更好地把握未来增长机遇。
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